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硅单晶,直拉硅单晶生产工艺原料配方配比技术

请记住资料编号:GY10001-27617    资料价格:480元
1、直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法,所述护盘压片设于下护盘压片之上,下护盘压片和护盘压片之间填充有石墨毡;主保温筒的底部与下保温筒卡接,下保温筒底部与下护盘压片卡接,下护盘压片...
2、直拉八英寸硅单晶热场及八英寸硅单晶的生产工艺方法
        [简介]: 本套资料涉及一种硅单晶的制造方法及硅单晶提拉装置,进行硅熔融液的渗出监视及籽晶的触液检测,并且实现可耐长时间提拉的石英玻璃坩埚的强化及硅单晶的杂质浓度的降低。本套资料的硅单晶的制造方法包括如下步骤:使安装在导线...
3、硅单晶的制造方法、硅单晶提拉装置以及石英玻璃坩埚
        [简介]:本技术涉及一种用于拉制区熔硅单晶时调节单晶热场的反射器,它包括:反射器筒体,该筒体包括:外筒体I14及内筒体II10,内筒体II10位于反射器筒体的上方,内筒体上顶部周边设有连接件与固定支架11固定,套在内筒体...
4、一种用于拉制区熔硅单晶时调节单晶热场的反射器
        [简介]: 本套资料提供硅单晶提拉用晶种,该晶种可以降低由接触硅熔液时产生的热冲击引起的滑移位错的产生,并且抑制该滑移位错的传播,即使颈部的直径大于以往的直径也能进行无位错化。本套资料的硅单晶提拉用晶种是对基于CZ法的硅单晶...
5、硅单晶提拉用晶种以及使用该晶种的硅单晶的制造方法
        [简介]: 本套资料涉及一种用柴氏长晶法、以高生产率生产高质量硅单晶结晶块的技术。本套资料的技术能控制氧溶出区域处的磁场强度,使其不同于固-液界面区域处的磁场强度,从而将氧含量控制为所需值。
6、高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
        [简介]: 本套资料提供一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法,其特征在于:在等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括两个以上的旋转阶段,所述每个旋转阶段包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋...
7、气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
        [简介]: 本套资料提供一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法,其特征在于:在等径保持生长过程中,单晶轴向旋转的方式为按旋转周期循环旋转,所述一个旋转周期包括一次顺时针旋转和一次逆时针旋转,所述顺时针旋转的旋转角度和所述逆时针...
8、一种区熔气相掺杂硅单晶的生产方法
        [简介]: 本套资料提供一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统,包括导流筒、保温盖和上保温筒,所述上保温筒上设有保温盖,所述保温盖的一端连接所述导流筒,其特征在于:所述上保温筒的高度为220mm,所述导流筒的高度为349mm。本套资料的有益...
9、一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统
        [简介]: 本套资料提供一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法,其特征在于,包括以下步骤:1腐蚀、冲洗、烘干:将硅单晶用*和氢氟酸进行腐蚀后,用去离子水冲洗后烘干;2浸泡:将硅单晶放入五氧化二磷溶液中浸泡...
10、一种提高中子嬗变掺杂或去应力硅单晶退火后少子寿命的方法
        [简介]: 本套资料提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法:在区熔阶段的等径生长工艺中,在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下,使下转电机正向、反向交替转动,所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动。本发...
11、一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法
        [简介]:本技术主要内容为一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场,包括导流筒;其特征在于,所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。本实用新型中的新型单晶炉热场,由于采用设置碳化硅涂层的导流筒,可降低硅单晶棒生产能...
12、新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场
        [简介]: 一种直拉硅单晶用石墨导流筒基体强化及表面涂层的方法,包括以下步骤:(1)表面预处理;(2)采用碳氢气体进行化学气相沉积,强化基体;(3)按质量配比碳化硅粉∶硅粉∶溶剂1∶(3~5)∶(6~8)的比例将各原料混合,搅拌均匀,得浆料;将...
13、一种直拉硅单晶用石墨导流筒基体强化及表面涂层方法
        [简介]: 本套资料是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底,所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗,在基底表面层有较少的BMD,并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成,所述基底具有...
14、硅单晶基底及其制造方法
        [简介]:本技术提供一种八英寸硅单晶硅片多线切割机,包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽;所述导轨丝杠设于工作台上,所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫,所述工作台配有砂浆喷嘴,所述砂浆喷...
15、一种八英寸硅单晶硅片多线切割机
        [简介]: 本套资料提供一种八英寸硅单晶硅片多线切割机及其切割方法,包括导轨丝杠、工作台、砂浆喷嘴、槽轮和接片槽;所述导轨丝杠设于工作台上,所述导轨丝杠与工作台间从上到下依次设有工作台铁垫和绝缘垫,所述工作台配有喷浆沙嘴,所...
16、一种八英寸硅单晶硅片多线切割机及其切割方法
        [简介]:本技术提供一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,其特征在于:所述线圈为平板单匝结构,所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的第一台阶,所述...
17、一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈
        [简介]:本技术提供一种用于硅单晶制备的区熔线圈,包括线圈骨架和线圈冷却水管,所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内,其特征在于:所述线圈为平板单匝结构,所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶,所述线圈骨架内...
18、一种用于硅单晶制备的区熔线圈
        [简介]:本技术提供一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器,包括反射器主体,以及反射器主体上连接的气体*器,该气体*器包括铜质镀银的环形管,环形管上开有数个气孔,该环形管的两端分别设有进气阀和泄压阀。本实用新型对...
19、一种区熔法生长气相掺杂硅单晶用反射器
        [简介]: 本套资料提供电阻率高并且电阻率变化率较小的p型硅单晶以及其制造方法。解决方法:制造p型硅单晶1的方法,包括以下步骤:制备硅熔体7,所述硅熔体中已加入作为主掺杂物的硼、为n型杂质且偏析系数比硼低的第一副掺杂物、以及为p...
20、P型硅单晶以及其制造方法
        [简介]:本技术涉及一种籽晶夹持器,旨在提供一种用于区熔法生长硅单晶的籽晶夹持器。该籽晶夹持器包括柱状的籽晶夹头本体,其底部开有向内的空腔;在籽晶夹头本体的上部沿轴向开有一个缺口,该缺口具有两个相交的轴向切割面;该...
21、直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法
22、直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法
23、一种直拉硅单晶的装料方法及其装置
24、一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法
25、直拉硅单晶二次加料装置
26、一种线切硅单晶
27、一种提高N型硅单晶边缘少数载流子寿命的装置和方法
28、一种大投料量直拉硅单晶用的籽晶配套结构
29、一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法
30、一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法
31、硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶
32、一种低成本直拉硅单晶的生产方法
33、一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法
34、一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法
35、一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法
36、一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法
37、一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法
38、一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法
39、一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法
40、用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法
41、一种直拉硅单晶惰性保护气体转换及互锁装置
42、一种直拉硅单晶惰性保护气体转换及互锁装置
43、硅单晶锭的制造方法
44、一种硅单晶棒截断用夹持装置
45、显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用
46、一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置及其掺杂方法
47、一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置
48、直拉八英寸硅单晶热场
49、一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液
50、一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法
51、直拉法制作硅单晶的加热器
52、一种控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置
53、一种生产Φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺
54、一种控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置及其方法
55、一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺
56、用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法
57、低成本生长太阳能级硅单晶的装置
58、一种硅单晶圆型锥籽晶专用夹持内套
59、硅单晶生产方法
60、一种直拉硅单晶的生产工艺
61、直拉硅单晶检测用测量道的制作装置
62、直拉硅单晶检测用测量道的制作装置
63、N型直拉硅单晶的工艺方法
64、硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
65、用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置
66、一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉
67、111晶向铸锭硅单晶及其制备方法
68、直拉法生长IC级低Fe含量硅单晶的生长工艺与装置
69、一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法
70、一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法
71、用于重掺硅单晶制造的热系统
72、一种用于重掺硅单晶制造的热系统
73、适用于轻掺及中高阻直拉硅单晶的掺杂装置
74、一种用于生产太阳能级硅单晶的复合层石英坩埚
75、一种用于生产太阳能级硅单晶的籽晶夹持装置
76、用于生产太阳能用硅单晶的氩气流量自动调节装置
77、一种太阳能级直拉硅单晶埚底料清洗方法
78、一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置
79、一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置
80、直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法
81、石墨坩埚及制造硅单晶的装置
82、石墨坩埚及制造硅单晶的装置
83、用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法
84、一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法
85、一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法
86、一种制备<110>区熔硅单晶的方法
87、直拉硅单晶热场
88、一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法
89、一种用于定向凝固法生长硅单晶的双层坩埚
90、一种高阻硅单晶的制备方法
91、从熔体中生长硅单晶的方法和装置
92、硅单晶的拉制方法
93、直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置
94、硅单晶提拉用石英玻璃坩埚
95、太阳能硅单晶生产用涂层石英坩埚
96、太阳能硅单晶生产用涂层石英坩埚
97、太阳能级硅单晶混合掺杂配料方法
98、包括具有前侧和背侧的硅单晶衬底和沉积于前侧上的SiGe层的晶片的生产方法
99、用于硅单晶衬底的损伤蚀刻和纹理化的方法
100、一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置
101、一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈
102、一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈
103、直拉硅单晶直径自动补偿方法
104、一种增加直拉硅单晶装料量的方法及装置
105、一种用于直拉法生长硅单晶车间内外吸尘器管道的插口
106、一种生长硅单晶的节能热场结构
107、用于生长硅单晶的节能热场
108、永磁场直拉硅单晶的工艺及附属设备
109、一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法
110、硅单晶棒运输冷却车装置
111、太阳能级CZ硅单晶控制热施主工艺
112、硅单晶棒切片前处理方法及前处理夹具
113、直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置
114、硅单晶棒切片前处理夹具
115、直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置
116、一种镓和锗共掺的直拉硅单晶
117、制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法
118、一种硅单晶切割籽晶专用夹具
119、硅单晶棒测试样片制取装置
120、一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法
121、一种生长硅单晶的热装置
122、一种生长硅单晶的热装置
123、一种生长硅单晶的热装置
124、一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法
125、一种硅单晶棒的拼棒装置
126、一种硅单晶棒的粘棒装置
127、一种硅单晶棒的粘棒装置
128、一种硅单晶棒的拼棒装置
129、硅单晶提拉用石英玻璃坩埚的制造方法
130、一种薄型硅单晶抛光片加工方法
131、一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法
132、一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法
133、硅单晶的生产方法
134、一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法
135、硅单晶提拉方法
136、一种用于切克劳斯基法制造硅单晶再装料用的锥形底托
137、一种用于切克劳斯基法制造硅单晶再装料或籽晶装置中钢绳的紧固件
138、石英玻璃坩埚以及使用该石英玻璃坩埚的硅单晶提拉方法
139、用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
140、从不规则硅块钻取硅单晶棒的工具
141、硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
142、硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
143、一种直拉硅单晶制备用坩埚
144、直拉硅单晶制备用坩埚
145、一种低电阻高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法
146、硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
147、直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
148、直拉法生长掺镓硅单晶的装置
149、硅单晶提拉装置
150、控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成
151、控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成
152、硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
153、硅单晶的制造方法和硅晶片
154、直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法
155、一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法
156、<110>无位错硅单晶的制造方法
157、制造硅单晶的方法
158、硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法
159、硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法
160、硅单晶锭X射线定向仪
161、区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法
162、区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法
163、气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
164、气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
165、大直径区熔硅单晶生产方法
166、高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
167、半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法
168、制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法
169、供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
170、硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
171、硅单晶的生长方法
172、硅单晶的生长装置
173、硅单晶的生长方法
174、硅单晶锭X射线定向仪
175、区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法
176、磁场直拉硅单晶的制备方法
177、硅片及其制造方法,以及硅单晶的培育方法
178、液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法
179、硅单晶提拉装置及其方法
180、一种太阳能级硅单晶用料配方及制备
181、光学玻璃和硅单晶非球面光学元件的加工方法

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  • 开本:16开
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